スイッチの技術動向 | 株式会社パルスパワー技術研究所 | パルスパワーの発生と制御に関する技術支援、実験品試作、共同研究

核融合科学研究所で開催された研究会「パルスパワー技術を用いた粒子ビームと高エネルギー密度プラズマ科学の最前線」で発表してきた、固体化高電圧パルス電源の技術動向の中でスイッチの技術動向についての説明してきました。
スイッチもやはり、インバータ化、高周波化の技術背景の中で、高速の素子の役割がより重要になってきた。ＧＴＯ→ＩＧＢＴ→ＦＥＴという技術変遷は、大容量化よりも高速性が優先されてきた結果であり、今でも、最も大容量のＧＴＯは国内メーカの大部分がその生産を終息しており、小容量ではあるが、より高速のＩＧＢＴやＦＥＴに置き換えられている。現状は、まだ、ＩＧＢＴが主流であるが、今後、ＦＥＴにＳｉＣ製のものが投入されてくることにより、高速かつ大容量のスイッチが供給されてくることが期待される。高周波化により、パルス電源の精度も向上し、また、応用範囲も広がり、さらにパルスパワーの重要性が高まってくるものと思われる。